| Stan | New and Original |
|---|---|
| Pochodzenie | Contact us |
| Dystrybutor | Boser Technology |
| Napięcie - Test: | 937pF @ 100V |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (maks.): | 10V |
| Technologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Seria: | E |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 12A (Tc) |
| Polaryzacja: | TO-220-3 Full Pack |
| Inne nazwy: | SIHF12N60E-GE3DKR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Numer części producenta: | SIHF12N60E-GE3 |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 58nC @ 10V |
| Rodzaj IGBT: | ±30V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 4V @ 250µA |
| Cecha FET: | N-Channel |
| Rozszerzony opis: | N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | - |
| Opis: | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 600V |
| Stosunek pojemności: | 33W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
