STD16N65M2
STD16N65M2
部品型番:
STD16N65M2
メーカー:
STMicroelectronics
説明:
MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
82303 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
STD16N65M2.pdf

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規格

状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - テスト:718pF @ 100V
電圧 - ブレークダウン:DPAK
同上@ VGS(TH)(最大):360 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(最大):10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:MDmesh™ M2
RoHSステータス:Digi-Reel®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11A (Tc)
偏光:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:497-15258-6
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:26 Weeks
製造元の部品番号:STD16N65M2
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:19.5nC @ 10V
IGBTタイプ:±25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:4V @ 250µA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 650V 11A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount DPAK
ソース電圧(VDSS)にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 650V 11A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):650V
静電容量比:110W (Tc)
Email:[email protected]

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