RN2111ACT(TPL3)
RN2111ACT(TPL3)
部品型番:
RN2111ACT(TPL3)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
79740 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
RN2111ACT(TPL3).pdf

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規格

状況 New and Original
出典 Contact us
配給業者 Boser Technology
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):80mA
電圧 - ブレークダウン:CST3
IB、IC @ Vce飽和(最大):50V
シリーズ:-
RoHSステータス:Tape & Reel (TR)
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):10k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):-
電力 - 最大:100mW
偏光:SC-101, SOT-883
他の名前:RN2111ACT(TPL3)TR
ノイズ指数(F @デシベル標準):-
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:RN2111ACT(TPL3)
周波数 - トランジション:120 @ 1mA, 5V
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
説明:TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ遮断(最大):150mV @ 250µA, 5mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):PNP - Pre-Biased
Email:[email protected]

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