CEFB105-G最高の価格と速い配達。
BOSER Technology CEFB105-Gのディストリビューターは、私達に即時出荷のための在庫があり、また長い時間の供給のために利用できます。電子メールで私達にCEFB105-Gのあなたの購入計画を送ってください、私達はあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。私達のEメール：[email protected]
CEFB105-G
- 部品型番:
- CEFB105-G
- メーカー:
- Comchip Technology
- 説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
- [LeadFreeStatus]未找到翻译
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 数量:
- 36502 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- データシート:
- CEFB105-G.pdf
簡潔な
私達のEメール：[email protected]
規格
| 状況 | New and Original |
|---|---|
| 出典 | Contact us |
| 配給業者 | Boser Technology |
| 電圧 - ピーク逆（最大）: | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1A |
| 電圧 - ブレークダウン: | DO-214AA (SMB) |
| シリーズ: | - |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 逆回復時間（trrの）: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| もし、F @抵抗: | - |
| 偏光: | DO-214AA, SMB |
| 他の名前: | 641-1149-2 MURS160 |
| 動作温度 - ジャンクション: | 50ns |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | CEFB105-G |
| 拡張された説明: | Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| ダイオード構成: | 5µA @ 600V |
| 説明: | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 1.25V @ 1A |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）: | 600V |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 150°C (Max) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのCEFB105-G
最新ニュース
- Vishayは、VCSELに基づいて新しい高性能反射光センサーを発売しました
- なぜ小さな充電ICの切り株アップル、ハウエイ、サムスン？
- 半導体産業への電子材料の重要性
- カーボンベースの半導体はどのように破断しますか？
- グローバルエレクトロニクスサプライチェーンにおける中国の重要な役割
- 500億元！ Ziguangの株式を取得するというアリババの意思の露出
- 国内の高電圧および大容量圧着IGBTチップとデバイスを開発しました
- 国内の半導体IPはターニングポイントで推定されている、長所技術の分析と機会の分析
- Huawei Hubbleは大きく投資します：半導体産業に密接に焦点を当てて
- 包装とテスト、MOSFETは20％急上昇しました！
- Ex semiconductor industry innovation depends on advanced packaging to advance is the key to success or failure, the fastest growing advanced packaging platform 3D/2.5D stacking and fan-out
- 新しいFabの波が再表示され、半導体機器のブームが続く