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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > 2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
2SK3564(STA4,Q,M)
部品型番:
2SK3564(STA4,Q,M)
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
[LeadFreeStatus]未找到翻译
鉛フリー/ RoHS準拠
数量:
84709 Pieces
配達時間:
1-2 days
データシート:
1.2SK3564(STA4,Q,M).pdf2.2SK3564(STA4,Q,M).pdf
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状況 New and Original
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配給業者 Boser Technology
電圧 - テスト:700pF @ 25V
電圧 - ブレークダウン:TO-220SIS
同上@ VGS（TH）（最大）:4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs（最大）:10V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ:π-MOSIV
RoHSステータス:Tube
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:3A (Ta)
偏光:TO-220-3 Full Pack
他の名前:2SK3564(Q)
2SK3564(STA4,Q)
2SK3564(STA4Q)
2SK3564(STA4Q)-ND
2SK3564(STA4QM)
2SK3564Q
2SK3564Q-ND
2SK3564STA4QM
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:2SK3564(STA4,Q,M)
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:17nC @ 10V
IGBTタイプ:±30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:4V @ 1mA
FET特長:N-Channel
拡張された説明:N-Channel 900V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
ソース電圧（VDSS）にドレイン:-
説明:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:900V
静電容量比:40W (Tc)
Email:[email protected]

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