ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Modello di prodotti:
ZXMN3A06DN8TA
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
48291 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
ZXMN3A06DN8TA.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 250µA (Min)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:1.8W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:ZXMN3A06DN8CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:33 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:796pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.9A
Email:[email protected]

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