ZXMN2A02X8TC
ZXMN2A02X8TC
Modello di prodotti:
ZXMN2A02X8TC
fabbricante:
Diodes Incorporated
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
49325 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
ZXMN2A02X8TC.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:700mV @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-MSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6.2A (Ta)
Email:[email protected]

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