W987D6HBGX6E
W987D6HBGX6E
Modello di prodotti:
W987D6HBGX6E
fabbricante:
Winbond Electronics Corporation
Descrizione:
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
93533 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
W987D6HBGX6E.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia:SDRAM - Mobile LPSDR
Contenitore dispositivo fornitore:54-VFBGA (8x9)
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:54-TFBGA
temperatura di esercizio:-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:128Mb (8M x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Frequenza dell'orologio:166MHz
Tempo di accesso:5.4ns
Email:[email protected]

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