| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 10mA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | Y3-Li |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 800A, 10V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Y3-Li |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2355nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1000A Chassis Mount Y3-Li |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1000A |
| Numero di parte base: | VMM |
| Email: | [email protected] |
