US5U30TR
US5U30TR
Modello di prodotti:
US5U30TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
43085 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.US5U30TR.pdf2.US5U30TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TUMT5
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:390 mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.1nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:Schottky Diode (Isolated)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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