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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > UP0411200L
UP0411200L
UP0411200L
Modello di prodotti:
UP0411200L
fabbricante:
Panasonic
Descrizione:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
34522 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
UP0411200L.pdf
Inchiesta

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Tipo transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SSMINI6-F1
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):22 kOhms
Resistor - Base (R1):22 kOhms
Potenza - Max:125mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:UP0411200LCT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:80MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMINI6-F1
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:60 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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