UMH9NTN
UMH9NTN
Modello di prodotti:
UMH9NTN
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
44834 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.UMH9NTN.pdf2.UMH9NTN.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:UMT6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):10 kOhms
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:UMH9NTNTR
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:68 @ 5mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:*MH9
Email:[email protected]

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