| Condizione | New and Original |
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| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Tipo transistor: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | - |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Potenza - Max: | 150mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Altri nomi: | UMA6NT1OS |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenza - transizione: | - |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 160 @ 5mA, 10V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 500nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 100mA |
| Numero di parte base: | MA6 |
| Email: | [email protected] |
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
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UMA1V4R7MDD1TP | Nichicon | CAP ALUM 4.7UF 20% 35V RADIAL | Inchiesta |
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UMA5817-T7 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMA4NT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 | Inchiesta |
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UMA2NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMA5818 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMA7NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMA3NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMA8NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMA6NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMA4NT1 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SC70 | Inchiesta |
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UMA4NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMAC040130A003TA01 | Murata Electronics | CAP/BATTERY LITHIUM 10F 2.3V | Inchiesta |
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UMA5819 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMA5NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMAF5817 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 20V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMAF5818 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 30V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMAL201421A012TA01 | Murata Electronics | CAP/BATTERY LITHIUM 50F 2.3V | Inchiesta |
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UMA9NTR | LAPIS Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5 | Inchiesta |
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UMAF5819 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 40V 1A ULTRAMITE | Inchiesta |
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UMAL361421B024TA01 | Murata Electronics | CAP/BATTERY LITHIUM 100F 2.7V | Inchiesta |