UM6J1NTN
UM6J1NTN
Modello di prodotti:
UM6J1NTN
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53194 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.UM6J1NTN.pdf2.UM6J1NTN.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:UMT6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Potenza - Max:150mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:UM6J1NTNTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:30pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 200mA 150mW Surface Mount UMT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200mA
Numero di parte base:*J1
Email:[email protected]

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