TPCA8105(TE12L,Q,M
Modello di prodotti:
TPCA8105(TE12L,Q,M
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
81291 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf2.TPCA8105(TE12L,Q,M.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 200µA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP Advance (5x5)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:33 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.6W (Ta), 20W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):12V
Descrizione dettagliata:P-Channel 12V 6A (Ta) 1.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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