TPC8207(TE12L,Q)
Modello di prodotti:
TPC8207(TE12L,Q)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
91635 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.TPC8207(TE12L,Q).pdf2.TPC8207(TE12L,Q).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 200µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:20 mOhm @ 4.8A, 4V
Potenza - Max:450mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Altri nomi:TPC8207TE12LQ
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A
Numero di parte base:TPC*207
Email:[email protected]

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