STY80NM60N
STY80NM60N
Modello di prodotti:
STY80NM60N
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
50738 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STY80NM60N.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:MAX247™
Serie:MDmesh™ II
Rds On (max) a Id, Vgs:35 mOhm @ 37A, 10V
Dissipazione di potenza (max):447W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:497-8466-5
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:10100pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 74A (Tc) 447W (Tc) Through Hole MAX247™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:74A (Tc)
Email:[email protected]

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