STV250N55F3
STV250N55F3
Modello di prodotti:
STV250N55F3
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 250A POWERSO-10
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
42088 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STV250N55F3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:10-PowerSO
Serie:STripFET™ III
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 mOhm @ 75A, 10V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Altri nomi:497-7030-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:6800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):55V
Descrizione dettagliata:N-Channel 55V 200A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount 10-PowerSO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:200A (Tc)
Email:[email protected]

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