STN1N20
Modello di prodotti:
STN1N20
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
57733 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STN1N20.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-223
Serie:MESH OVERLAY™
Rds On (max) a Id, Vgs:1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.9W (Tc)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:TO-261-4, TO-261AA
Altri nomi:497-3176-6
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:206pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:15.7nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 1A (Tc) 2.9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tc)
Email:[email protected]

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