| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±25V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOWATT-218FX |
| Serie: | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 87 mOhm @ 17A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | ISOWATT218FX |
| Altri nomi: | 497-16309-5 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 600V 34A (Tc) 63W (Tc) Through Hole ISOWATT-218FX |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 34A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
