| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAKFP (TO-281) |
| Serie: | MDmesh™ K5 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 20W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 177pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 800V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 800V 4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
