STB20NM60D
STB20NM60D
Modello di prodotti:
STB20NM60D
fabbricante:
STMicroelectronics
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61058 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
STB20NM60D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:D2PAK
Serie:FDmesh™
Rds On (max) a Id, Vgs:290 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max):192W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:497-6193-2
temperatura di esercizio:-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:42 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1300pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 20A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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