SSM6N48FU,RF(D
Modello di prodotti:
SSM6N48FU,RF(D
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
51187 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SSM6N48FU,RF(D.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:US6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.2 Ohm @ 10mA, 4V
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:SSM6N48FURF(D
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:15.1pF @ 3V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA (Ta) 300mW Surface Mount US6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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