SSM6J801R,LF
SSM6J801R,LF
Modello di prodotti:
SSM6J801R,LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
54575 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SSM6J801R,LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:6-TSOP-F
Serie:U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:32.5 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Leads
Altri nomi:SSM6J801R,LF(B
SSM6J801R,LF(T
SSM6J801RLF
SSM6J801RLF(B
SSM6J801RLF(T
SSM6J801RLFTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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