SQM90142E_GE3
SQM90142E_GE3
Modello di prodotti:
SQM90142E_GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Quantità:
46537 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SQM90142E_GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-263 (D²Pak)
Serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:15.3 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):375W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:SQM90142E_GE3CT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:4200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:85nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:N-Channel 200V 95A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:95A (Tc)
Email:[email protected]

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