SP8M10TB
SP8M10TB
Modello di prodotti:
SP8M10TB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
60660 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SP8M10TB.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:25 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max:2W
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SP8M10TBCT
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:8.4nC @ 5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 4.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7A, 4.5A
Numero di parte base:*M10
Email:[email protected]

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