SIHG24N65EF-GE3
SIHG24N65EF-GE3
Modello di prodotti:
SIHG24N65EF-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
69193 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SIHG24N65EF-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247AC
Serie:E
Rds On (max) a Id, Vgs:156 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2774pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:122nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione dettagliata:N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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