SI8261BAC-C-ISR
Modello di prodotti:
SI8261BAC-C-ISR
fabbricante:
Energy Micro (Silicon Labs)
Descrizione:
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61721 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI8261BAC-C-ISR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione di alimentazione -:6.5 V ~ 30 V
Tensione - Isolamento:3750Vrms
Tensione - Forward (Vf) (Typ):2.8V (Max)
Tecnologia:Capacitive Coupling
Contenitore dispositivo fornitore:8-SOIC
Serie:Automotive, AEC-Q100
Tempo di salita / scadenza (Typ):5.5ns, 8.5ns
Distorsione Larghezza Pulse (Max):28ns
Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (Max):60ns, 50ns
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:336-5206-2
SI8261BAC-C-ISR-ND
temperatura di esercizio:-40°C ~ 125°C
Numero di canali:1
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:6 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
Corrente - Uscita di picco:4A
Corrente - uscita alta, bassa:500mA, 1.2A
Corrente - DC Forward (If) (Max):30mA
Immunità transitoria in modalità comune (Min):35kV/µs
Approvazioni:CQC, CSA, UR, VDE
Email:[email protected]

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