| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 900mV @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.5W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Altri nomi: | SI7900AEDN-T1-GE3TR SI7900AEDNT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Numero di parte base: | SI7900 |
| Email: | [email protected] |
