SI7230DN-T1-GE3
SI7230DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7230DN-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
53072 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI7230DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max):1.5W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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