SI7214DN-T1-GE3
SI7214DN-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI7214DN-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
62179 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI7214DN-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:PowerPAK® 1212-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:40 mOhm @ 6.4A, 10V
Potenza - Max:1.3W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:PowerPAK® 1212-8 Dual
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:6.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A
Numero di parte base:SI7214
Email:[email protected]

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