SI4932DY-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI4932DY-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
75489 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI4932DY-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:15 mOhm @ 7A, 10V
Potenza - Max:3.2W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:27 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1750pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.2W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A
Email:[email protected]

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