SI4814BDY-T1-GE3
Modello di prodotti:
SI4814BDY-T1-GE3
fabbricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
71810 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SI4814BDY-T1-GE3.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-SO
Serie:LITTLE FOOT®
Rds On (max) a Id, Vgs:18 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max:3.3W, 3.5W
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:10A, 10.5A
Email:[email protected]

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