| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Vgs (th) (max) a Id: | 750mV @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±5V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 24 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta) |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | SI3495DV-T1-E3CT |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione dettagliata: | P-Channel 20V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
