SH8K3TB1
SH8K3TB1
Modello di prodotti:
SH8K3TB1
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
59118 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
SH8K3TB1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - Prova:600pF @ 10V
Tensione - Ripartizione:8-SOP
Vgs (th) (max) a Id:24 mOhm @ 7A, 10V
Serie:-
Stato RoHS:Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs:7A
Potenza - Max:2W
Polarizzazione:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Altri nomi:SH8K3TB1TR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SH8K3TB1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:11.8nC @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2.5V @ 1mA
Caratteristica FET:2 N-Channel (Dual)
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Tensione drain-source (Vdss):Logic Level Gate
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:30V
Email:[email protected]

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