RP1E050RPTR
RP1E050RPTR
Modello di prodotti:
RP1E050RPTR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 5A MPT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
63486 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RP1E050RPTR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:MPT6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:50 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:6-SMD, Flat Leads
Altri nomi:RP1E050RPDKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.2nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:P-Channel 30V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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