RN1606(TE85L,F)
RN1606(TE85L,F)
Modello di prodotti:
RN1606(TE85L,F)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
64701 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RN1606(TE85L,F).pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SM6
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:SC-74, SOT-457
Altri nomi:RN1606(TE85LF)CT
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:250MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Email:[email protected]

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