| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 100µs, 5ms |
| Tensione di alimentazione -: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | CBRAM |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-UDFN (2x3) |
| Serie: | Mavriq™ |
| imballaggio: | Cut Tape (CT) |
| Contenitore / involucro: | 8-UFDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 1265-1217-1 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 512kb (128B Page Size) |
| Interfaccia di memoria: | SPI |
| Formato di memoria: | CBRAM® |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | CBRAM Memory IC 512kb (128B Page Size) SPI 20MHz 8-UDFN (2x3) |
| Frequenza dell'orologio: | 20MHz |
| Email: | [email protected] |
