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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > RJP6085DPK-00#T0
RJP6085DPK-00#T0
RJP6085DPK-00#T0
Modello di prodotti:
RJP6085DPK-00#T0
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61865 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RJP6085DPK-00#T0.pdf
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introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.5V @ 15V, 40A
Condizione di test:-
Td (on / off) @ 25 ° C:-
di scambio energetico:-
Contenitore dispositivo fornitore:TO-3P
Serie:-
Potenza - Max:178.5W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-3P-3, SC-65-3
Altri nomi:RJP6085DPK00T0
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:-
Descrizione dettagliata:IGBT 600V 40A 178.5W Through Hole TO-3P
Corrente - collettore (Ic) (max):40A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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