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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > RFD8P05SM
RFD8P05SM
Modello di prodotti:
RFD8P05SM
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
46492 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
RFD8P05SM.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252AA
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 8A, 10V
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 20V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione drain-source (Vdss):50V
Descrizione dettagliata:P-Channel 50V 8A (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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