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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > R5030413LSWA
R5030413LSWA
Modello di prodotti:
R5030413LSWA
fabbricante:
Powerex, Inc.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
64117 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R5030413LSWA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:2.5V @ 470A
Tensione - inversa (Vr) (max):400V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-205AA (DO-8)
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):700ns
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-205AA, DO-8, Stud
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-40°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:20 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 400V 125A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8)
Corrente - Dispersione inversa a Vr:45mA @ 400V
Corrente - raddrizzata media (Io):125A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per R5030413LSWA

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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R5031018FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 175A DO205 Inchiesta
R5030610RSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA Inchiesta
R5030618FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 600V 175A DO205AA Inchiesta
R5030818FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 175A DO205AA Inchiesta
R5030218FSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA Inchiesta
R5021413LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 125A DO205 Inchiesta
R5030813LSWA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 800V 125A DO205AA Inchiesta
R5021ANX Image R5021ANX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 500V 21A TO220 Inchiesta
R5021ANJTL Image R5021ANJTL LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS Inchiesta
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