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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > R1RP0416DSB-2PI#D1
R1RP0416DSB-2PI#D1
Modello di prodotti:
R1RP0416DSB-2PI#D1
fabbricante:
Renesas Electronics America
Descrizione:
IC SRAM IBIS ASYNC
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
61412 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R1RP0416DSB-2PI#D1.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:12ns
Tensione di alimentazione -:4.5 V ~ 5.5 V
Tecnologia:SRAM
Contenitore dispositivo fornitore:44-TSOP II
Serie:-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:4Mb (256K x 16)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SRAM Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 12ns 44-TSOP II
Tempo di accesso:12ns
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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R1RW0416DSB-2PI#D0 Image R1RW0416DSB-2PI#D0 Renesas Electronics America IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Inchiesta
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