QS6M4TR
QS6M4TR
Modello di prodotti:
QS6M4TR
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
46806 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.QS6M4TR.pdf2.QS6M4TR.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 1mA
Contenitore dispositivo fornitore:TSMT6 (SC-95)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Potenza - Max:1.25W
imballaggio:Original-Reel®
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:QS6M4DKR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1.6nC @ 4.5V
Tipo FET:N and P-Channel
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V, 20V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.5A
Numero di parte base:*M4
Email:[email protected]

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