PEMD6,115
PEMD6,115
Modello di prodotti:
PEMD6,115
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
67345 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PEMD6,115.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:100mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore:SOT-666
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):-
Resistor - Base (R1):4.7 kOhms
Potenza - Max:300mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-563, SOT-666
Altri nomi:934056709115
PEMD6 T/R
PEMD6 T/R-ND
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:13 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:-
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:200 @ 1mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):1µA
Corrente - collettore (Ic) (max):100mA
Numero di parte base:P*MD6
Email:[email protected]

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