| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-236AB (SOT23) |
| Serie: | - |
| Resistor - Emitter Base (R2): | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 2.2 kOhms |
| Potenza - Max: | 250mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | 1727-1703-2 568-11243-2 568-11243-2-ND 934058983215 PDTB123YT T/R PDTB123YT T/R-ND PDTB123YT,215-ND |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 70 @ 50mA, 5V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 500mA |
| Numero di parte base: | PDTB123 |
| Email: | [email protected] |
