PDTB123EQAZ
PDTB123EQAZ
Modello di prodotti:
PDTB123EQAZ
fabbricante:
Nexperia
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 3DFN
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
58488 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
PDTB123EQAZ.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:100mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:DFN1010D-3
Serie:Automotive, AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:325mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-XDFN Exposed Pad
Altri nomi:934069264147
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:150MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 150MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:40 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):500mA
Email:[email protected]

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