| Condizione | New and Original |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Distributore | Boser Technology |
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 80V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic: | 420mV @ 200mA, 4A |
| Tipo transistor: | PNP |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 3-HUSON (2x2) |
| Serie: | - |
| Potenza - Max: | 2.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-PowerUDFN |
| Altri nomi: | 1727-5121-2 568-6418-2 568-6418-2-ND 934063925115 PBSS5580PA,115-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione: | 110MHz |
| Descrizione dettagliata: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 110MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON (2x2) |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 140 @ 2A, 2V |
| Corrente - Cutoff collettore (max): | 100nA |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 4A |
| Numero di parte base: | PBSS5580 |
| Email: | [email protected] |
