NVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAG
Modello di prodotti:
NVLJD4007NZTAG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità:
37835 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NVLJD4007NZTAG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.5V @ 100µA
Contenitore dispositivo fornitore:6-WDFN (2x2)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:7 Ohm @ 125mA, 4.5V
Potenza - Max:755mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:6-WDFN Exposed Pad
Altri nomi:NVLJD4007NZTAG-ND
NVLJD4007NZTAGOSTR
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:5 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 245mA 755mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:245mA
Email:[email protected]

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