NTP75N03-006
NTP75N03-006
Modello di prodotti:
NTP75N03-006
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
62636 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTP75N03-006.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:6.5 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.5W (Ta), 125W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:NTP75N03-006OS
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5635pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:75nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione dettagliata:N-Channel 30V 75A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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