NTJS4151PT1
NTJS4151PT1
Modello di prodotti:
NTJS4151PT1
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
[LeadFreeStatus]未找到翻译
Contiene piombo / RoHS non conforme
Quantità:
34861 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
NTJS4151PT1.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New and Original
Origine Contact us
Distributore Boser Technology
Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 250µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:60 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi:NTJS4151PT1OSCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:850pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione dettagliata:P-Channel 20V 3.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:3.3A (Ta)
Email:[email protected]

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